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RAM
Samsung compte débuter la production de masse des puces de mémoire vive gravées en 18 nm (aussi appelée 1x) dès le second trimestre 2015.
Grâce à une légère modification de la méthode de fabrication à double exposition, le géant coréen compte passer à la gravure en 15 nm (1y) puis 10 nm (1z) entre 2016 et 2020.
Grâce à une légère modification de la méthode de fabrication à double exposition, le géant coréen compte passer à la gravure en 15 nm (1y) puis 10 nm (1z) entre 2016 et 2020.
20nm
Les puces 12 Gb de RAM LPDDR4 sont annoncées comme 30 % plus rapides que celles occupant nos smartphones aujourd’hui en affichant des vitesses de 4,2666 Mb/s.
Deux fois plus rapides tout en consommant 20 % d’énergie en moins.
Les puces sont 50 % plus compactes
Les puces 12 Gb de RAM LPDDR4 sont annoncées comme 30 % plus rapides que celles occupant nos smartphones aujourd’hui en affichant des vitesses de 4,2666 Mb/s.
Deux fois plus rapides tout en consommant 20 % d’énergie en moins.
Les puces sont 50 % plus compactes
pas mal ce test :
this time we have run the game tests with Chrome open in the background with 65 active tabs fully loaded, which consumed 2.2GB of memory when 16GB was available.
this time we have run the game tests with Chrome open in the background with 65 active tabs fully loaded, which consumed 2.2GB of memory when 16GB was available.
entièrement blanche (y compris le PCB)
le prix de la DDR3 est maintenant au même niveau que 2013
excellent la DDR3 serait enfin en baisse
Les prix les plus élevés concernent des versions 4 Go de mémoire vive associé à un Intel Atom Z3775 d’Intel.Ces modèles disposeraient en outre d’un port USB 3.0 en plus des 2 ports USB 2.0.mais plus de 220€ pour l'instant ...