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mémoire
Crucial
DRAM prices skyrocket 171% year-over-year, outpacing the rate of gold price increases — AI demand drives massive price hikes as shortage takes hold
Un des premiers pc avec ram camm2
Il existe une carte d'extention qui permet de recycler la mémoire DDR4 !
quand on changera nos serveurs qui ont 2To de DRR4 ça sera pas mal
quand on changera nos serveurs qui ont 2To de DRR4 ça sera pas mal
CUDIMM modules are DIMM modules that have been expanded to include a chip that amplifies or refreshes the signal from the memory controller in the CPU. They are therefore locked, unbuffered dual inline memory modules. The higher signal quality theoretically allowed for even higher clock rates.
Première barrette LPCAMM2
En vrai
En vrai
LPDDR5 (X) no longer needs to be soldered
top ! plus qu'à attendre ce nouveau format bien plus compact.
top ! plus qu'à attendre ce nouveau format bien plus compact.
Samsung’s LPCAMM modules are detachable, though it is noteworthy that some types of CAMM modules will be soldered to the motherboard.
Topachat
45€ les 32GO DDR4 SoDimm WTF !!
45€ les 32GO DDR4 SoDimm WTF !!
Il faut envisager que la DDR5 induise des températures de fonctionnement beaucoup plus élevées que la DDR4. La régulation de la tension a été déplacée de la carte mère elle-même vers le module, ce qui génère beaucoup plus de chaleur [sur les modules]
les puces mémoires ont été changées
techno française :
https://www.usinenouvelle.com/article/upmem-leve-3-millions-d-euros-pour-traiter-le-big-data-20-fois-plus-vite.N589278
mémoire RAM avec CPU intégré
https://www.usinenouvelle.com/article/upmem-leve-3-millions-d-euros-pour-traiter-le-big-data-20-fois-plus-vite.N589278
mémoire RAM avec CPU intégré
NAND Flash Intel 512Gb 64L 3D QLC
Optane Controller Intel SLL3D
Optane Media Intel 128Gb 3D XPoint
Optane Controller Intel SLL3D
Optane Media Intel 128Gb 3D XPoint
...
aussi en format sd à priori
"A noter également que certains fabricants ont proposé des smartphones haut de gamme en UFS puis ont basculé leur production en eMMC… Les tests étant faits sur les premiers modèles, beaucoup plus rapides…"
les ******
"A noter également que certains fabricants ont proposé des smartphones haut de gamme en UFS puis ont basculé leur production en eMMC… Les tests étant faits sur les premiers modèles, beaucoup plus rapides…"
les ******
mais pas de prix encore, ça ne sera pas donné
2.6go lecture et 2.2go en écriture
2.6go lecture et 2.2go en écriture
For Nicolas Dube of Hewlett Packard Enterprise (HPE)
https://www.anandtech.com/show/12379/jedec-publishes-ufs-30-spec
L'organisme de normalisation vient d'annoncer la version 3.0 de l'UFS (Universal Flash Storage),
avec des débits de 11,6 Gb/s par ligne (deux lignes maximum), soit deux fois plus que la précédente version.
L'organisme de normalisation vient d'annoncer la version 3.0 de l'UFS (Universal Flash Storage),
avec des débits de 11,6 Gb/s par ligne (deux lignes maximum), soit deux fois plus que la précédente version.
RX580 4Go vs 8GO
(seul wolfenstein pose problème)
(seul wolfenstein pose problème)
En tout et pour tout, le marché de la DRAM aura alors augmenté de 74% en 2017, à mettre en perspective face aux 78% de hausse la dernière fois que le marché avait connu une telle trique, il y a 23 ans, en 1994.
UFS 2.1
two full-duplex HS-Gear3 lanes with 5.8 GT/s per lane
up to 1200 MB/s
Operating Temperatures -40ºC to 105ºC
16 à 256Go
two full-duplex HS-Gear3 lanes with 5.8 GT/s per lane
up to 1200 MB/s
Operating Temperatures -40ºC to 105ºC
16 à 256Go
"nous [Rambus] anticipons une production en 2019 »"
capable de stocker 4 bits par cellule (QLC) (...)
Des cartes identiques, avec la seconde rangée de connecteurs
Les prix de la DRAM auraient-ils atteint un plafond ?
Difficile à dire mais après une hausse continue depuis cette fin d'été ayant entraîné un doublement des tarifs,
ces derniers n'augmentent plus depuis une semaine.
Difficile à dire mais après une hausse continue depuis cette fin d'été ayant entraîné un doublement des tarifs,
ces derniers n'augmentent plus depuis une semaine.
La NAND 3D 64 couches arrive aussi chez WD
http://www.hardware.fr/news/14992/nand-3d-64-couches-arrive-aussi-wd.html
http://www.hardware.fr/news/14992/nand-3d-64-couches-arrive-aussi-wd.html
Les premiers échantillons sont prévus pour l'année 2018.
latence :
19-19-19-39
mais 1.4v de tension
19-19-19-39
mais 1.4v de tension
SK Hynix prévoit de présenter sa technologie MDS au JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) et prévoit une commercialisation en 2018
Bon il y a tout de même quelques petits problèmes.
D'une part, aucun processeur actuel n'est prévu pour exploiter pleinement de la DDR4 à 4,33 GHz.
D'autre part, pour le moment, une seule carte mère est officiellement compatible : l'ASRock Z170M OC Formula.
D'une part, aucun processeur actuel n'est prévu pour exploiter pleinement de la DDR4 à 4,33 GHz.
D'autre part, pour le moment, une seule carte mère est officiellement compatible : l'ASRock Z170M OC Formula.
Samsung compte débuter la production de masse des puces de mémoire vive gravées en 18 nm (aussi appelée 1x) dès le second trimestre 2015.
Grâce à une légère modification de la méthode de fabrication à double exposition, le géant coréen compte passer à la gravure en 15 nm (1y) puis 10 nm (1z) entre 2016 et 2020.
Grâce à une légère modification de la méthode de fabrication à double exposition, le géant coréen compte passer à la gravure en 15 nm (1y) puis 10 nm (1z) entre 2016 et 2020.
(ils changent bel et bien les puces NAND :p )
La transition prendra entre trois et cinq ans et coûtera entre 3,5 milliards de dollars (3 milliards d’euros) et 5,5 milliards de dollars (4,85 milliards d’euros), selon les propos d’Intel
Intel espère ainsi commencer la production de 3D NAND au second semestre 2016 dans cette usine
Intel espère ainsi commencer la production de 3D NAND au second semestre 2016 dans cette usine
Elles annoncent un partenariat pour développer une nouvelle technologie de stockage dite SCM (Storage Class Memory)
qui tirera parti des avancées des Memristors de HP et de la ReRAM (Resistive RAM) chez SanDisk.
qui tirera parti des avancées des Memristors de HP et de la ReRAM (Resistive RAM) chez SanDisk.
pas mal ce test :
this time we have run the game tests with Chrome open in the background with 65 active tabs fully loaded, which consumed 2.2GB of memory when 16GB was available.
this time we have run the game tests with Chrome open in the background with 65 active tabs fully loaded, which consumed 2.2GB of memory when 16GB was available.
entièrement blanche (y compris le PCB)